最近在做LT3748做测试，发现如果在第七脚对地并联10nF电阻对比并联47pF电容芯片温度高了15℃左右，但是LT3748只是一个控制器，外置Nmos不应该会很热。这很奇怪。

本分析只是做记录，就是流水账。。。

首先先看下规格书：LT3748数据手册

简单的先让AI读一遍帮我分析：

豆包说是大电容导致环路不稳定，我可以顺着这个方向分析，看一下芯片的内部结构图：

看起来电流限制是通过比较器输入RS触发器影响栅极驱动器输出来限流。我电路中Rsense选型是0.025欧接了一个RC滤波电路进入芯片。R阻值为3欧，C最开始是10nF发现发热异常换成47pF发热减小，既然AI说保护滞后，引发开关频率异常，占空比失控，我们就测一下这几个参数。

先测量温度，一共三组对比验证1是SENSE引脚对地并联10nF,2是SENSE引脚对地并联47pF，3是SENSE引脚不加电容。

测试条件：输入60V，空载，温度探头放在芯片中间30S

测试结果：1组温度：40℃；2组温度：38℃；3组温度：40℃

目前看下来貌似和这里的电容关系不太大。

然后我在规格书中发现了这条：

大致意思是LT3748内部的栅极驱动器是由片内LDO供电的，芯片内部本身电路的耗电只有大约300µA但是驱动MOS管需要额外的功率，如果MOS的QG太大会加剧芯片发热，那么我们的方向切到芯片驱动MOS电路中。设计两组变量：1、栅极并联10nF电阻；2、栅极并联1nF电阻。测量温度，输入电压同样为60V。

测试结果：1组温度：45℃；2组温度39℃。

可以看出温度明显上升说明问题可能出现在这颗电容上。测量一下两组电路的栅极驱动波形：

第一组使用10nF栅极电容的栅极驱动波形

第二组使用1nF栅极电容的栅极驱动波形

对比来看第一组相对没有过冲震荡，波形貌似挺好看的。但是因为同时需要给电容充电所以MOS的开启时间边长了一倍多，那么芯片在控制MOS管开启时会需要更大的能量来开启管子，而且芯片本身是用LDO供电的，LDO的效率很低，这也加剧了芯片的发热，现在来算一下芯片驱动MOS需要消耗的功率：根据手册公式(VIN – INTVCC) • fSW • QG带入计算：

第一组 VIN=60V,INTVCC=7V,fSW≈45KHz，MOS的QG典型值为21nC，10nF电容算是65nC，带入公式计算得出：大约为0.205W

第一组 VIN=60V,INTVCC=7V,fSW≈48KHz，MOS的QG典型值为21nC，1nF电容算是6.5nC，带入公式计算得出：大约为0.07W

结论：通过计算值对比发现栅极电容小的计算出驱动功率明显更小，功率小，电流也小，芯片发热就小，证明就是栅极电容导致的芯片发热。