首次上电需要先设置一下化学ID这个id主要是从TI那边获取，如果在列表中没有的话就需要寄电池给TI好像还得等一周左右才有准确数据，应急用的话需要根据TI提供的曲线做数据分析，还是很麻烦的。

具体的文件和方法可以参考zhca838

不过如果用的是CEVD算法计算电池容量的话就是可以自行进行充放电测试就可以校准算法了，反正也是很麻烦就是了，但是有软件带着走会方便一些。

这里就展示一下我初始化芯片的流程：

首先是设置电池型号，就是我之前说的化学ID，先用EV2400连接到电脑，打开Battery Management Studio软件。如果软件能正确识别到芯片的话会自动选择好芯片型号进入数据界面：

如果不会自动选择芯片型号的话按我的经验来说就是上位机软件没和芯片通讯上，就算自己选好了型号，连上的概率也不大，建议直接检查接线和芯片有没有焊好

然后点击软件的Chemistry找到自己电池对应的型号我这里使用的是力神的LR2170LA电池，选择好电池型号之后点击底部的Program Selected Chemistry将化学ID写入进去。

然后稍微等一会就会出现Success什么的提示就是写入成功了

然后点击Data Memory初始化设置一些寄存器

首先是Calibration栏的Curren里的两个检流电阻设置，按照实际的设置来写，我这里之前是填的5mΩ，后面校准电流时自动计算成了4.953mΩ。

然后进到设置里设置电池串数：

下面是规格书对应的设置表，我这里设置的是六串

设置FET Options 不要忘了点击底下的写入，写入参数

解释一下弹出栏的几个寄存器解释

PACK_FUSE ：如果[PACK_FUSE]=0，则使用Voltage（）检查保险丝最小熔断电压，表示保险丝连接到BAT侧。如果[PACK_FUSE]=1（即，保险丝连接到PACK侧，并且需要连接充电器才能熔断保险丝），则使用PACK电压检查最小熔断保险丝电压阈值。不过我没有用到这个保险，我直接用的物理保险丝没所以就没有动这个，保持了默认

SLEEPCHG： 睡眠状态时启用充电管，保持默认，不做修改。

CHGFET：当GaugeStatus的TC位置1时FET动作，设置为0，即保持FET开启。

CHGIN：当处于“充电抑制状态时”,FET动作，关闭FET。

CHGSU：当处于“充电停止状态时”，FET动作，关闭FET。

OTFET ：当处于”过温模式时“FET动作，关闭FET。

PARALLEL_FETS：这里程序应该是显示错了。FET的串联或并联电路配置，1=并联FET配置，0=串联FET配置，默认为0，不用管他就行。

PCHG_COMM ：选择CHG FET作为预充电路径的FET，因为没有使用预充电FET，可将该选项设置为1，即使用CHG FET进行预充电。

然后设置DA Configuration

  • FTEMP “用于保护的FET温度的计算方法”，设置为0，即多个中取最大值。
  • EMSHUT_EN “允许紧急关机”，没有使用#PRES，不做修改。
  • SLEEP “允许睡眠”，设置为1，即允许。
  • IN_SYSTEM_SLEEP “允许接入系统时睡眠”，设置为1，即不允许。
  • NR “电池组为不可拆除的”，设置为1，即电池组不可拆除。

以上为抄袭何同学教程。。。。。

然后是开启均衡，点击Balancing Configuration然后将CB置1

然后设置电池组设计容量和电压这一步需要看电池的规格书

电池使用标称电压计算，例如设计电压就是3.6X6=21.6V，然后换算成mV就是21.6X1000=21600mV

mAh按电池组实际情况填就行，cWH就是将mWh的数字除以10，或将Wh的数字乘以100。

4000/1000X21.6=86.4Wh=86400mWh=8640cWh

然后就是电池学习和电池保护设置了，这块我也在学习，等学会了有空再写。